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IGBT的驅動電路必須具備2個功能，一是實現控制電路與被驅動IGBT柵的電隔離;二是提供合適的柵驅動脈沖。本設計中采用IR2113作為逆變電路IGBT驅動芯片，它兼有光禍隔離(體積小)和電磁隔離(速度快)的優點。IR2113工作電壓可達600V，工作頻率高可達SOOKHz。開通和關斷延時分別為120ns和94ns。此芯片采用懸浮自舉電源設計，可以減少驅動電源的數目，單相橋式電路中，僅用一組電源即可，簡化了設計和節省了成本。IR2113用于半橋驅動的電路。分別為自舉電容和二管，C2為濾波電容。假定在T1關斷期間C1己經充到足夠的電壓。當輸入為高電平時，T1導通，T2關斷，VCC加到T1的柵和源之間，T1導通。隨著T1的導通，T1源電壓接近直流母線的正端電壓，由于C1的電壓不能突變，C1上的電壓被抬高，維持T1柵和源的電位差，令 Tl維持導通。當輸入為低電平時，T1截止，T2導通，C1通過T2進行充電，迅速為C1補充能量，如此循環反復。